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| 75μm以下の微細な回路パターンを実現 |
| Via-on-Via、Via-on-IVHなどにより配線自由度がさらに向上 |
| 100μm以下の微細ビアホールを実現 |
| スタックビアにより超高密度実装を実現 |
| ビア部がメッキで埋め込まれるので、接続信頼性が向上 |
| 層間厚が安定するため、インピーダンス精度が向上 |
| ピール強度が高いので、部品のリペアも容易 |
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| 項目 |
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| ビルドアップ最大層数 |
片面3 |
| ライン/スペース(Min) |
75/75μm (50/50μm) |
| ビア径(ホール/ランド) |
75/200μm |
| 最小パッド幅/パッド間隔 |
50/50μm |
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| 携帯電話 |
| デジタルビデオカメラ |
| 携帯電話用無線基地局 |
| ハイエンドサーバ |
| 高密度実装や高信頼性が必要な製品 |
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